Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80 Корпус транзистора: SOT-89
